他放下粉笔，转过身：“我们认为，以当前的5微米工艺，能造出来。”
陈光远点了点头：“工艺这边没问题。”
“缺点是容量小。”他很坦率，“六管单元面积大，一片芯片里放不了多少。这一款是256乘8的存储单元阵列，只能放2kbit。”
台下有人小声议论。
2kbit，256个字节，连一篇短文章都存不下。
吕辰和诸葛彪侧头看了一眼钱兰，又对视了一眼，这完全和钱兰的方案一模一样。
陈老师正要继续讲，钱兰举手了。
“陈老师，我能不能问几个问题？”
陈老师看着她：“您是？”
“钱兰，红星工业研究所集成电路实验室的。我也为昆仑的编辑机做了一个存储芯片的设计，跟您的思路很像，想请教几个细节。”
陈老师点点头：“您问。”
钱兰站起来，走到黑板前，拿起一支粉笔。
“您这个设计，用的是六管静态单元，那外围逻辑电路呢？地址译码器是怎么做的？”
陈老师在阵列图旁边画了一个小方块：“行译码器和列译码器，标准的与非门阵列。地址信号进来，译码，选中对应的行和列。”
钱兰追问：“译码器的逻辑门，用的是标准单元库里的吗？”
“标准单元库？这是什么东西？我们这个是自己设计的。”陈老师疑惑。
钱兰皱了皱眉：“标准单元库是我们实验室专门为集成电路开展的逻辑门单元，在电路设计中能直接复用，提高设计效率，目前已经收录了400多个标准单元。”
陈老师琢磨道：“这个方法好，我们可以用吗？”
钱兰点点头：“当然可以，标准单元库是星河计划的基础工程，我们欢迎所有人加入到单元库的建设之当，一起建设一起利用。”
钱兰顿了顿：“陈老师，你能不能讲讲你们的设计。”
陈老师点点头，在黑板上把他们的设计讲解出来。
等他讲完，钱兰道：“陈老师，我把我们的方案也讲一下。”
“愿闻其详！”陈老师很感兴趣。
钱兰在黑板上画了一个自己的方案：“我们的设计，译码器用了预充电电路。地址变化的时候，所有字线先预充到高电平，然后根据译码结果把不需要的拉低。这样能降低功耗，提高速度。”
陈老师看了几秒，点点头：“这个思路好。我们的译码器是直接驱动，功耗确实偏大。你这个预充电，能省不少。”
钱兰又画了一个方块：“读写控制电路呢？您用的什么结构？”
陈老师在黑板上画了一个简图：“标准的读写控制，写的时候直接驱动位线，读的时候用灵敏放大器感知位线上的信号。”
他顿了顿，又补充了一句：“我们的灵敏放大器是差分的，能感知几十毫伏的信号变化，灵敏度很高。”
钱兰愣了一下：“你们加了灵敏放大器？”
“对。”陈老师说，“六管单元的读信号很弱，不加灵敏放大器，读出来的数据可能不对。你们没加？”
钱兰沉默了一秒，摇摇头：“我们是直接用反相器做读放大器，信号弱的时候容易出错。”
陈老师笑了笑：“那你们的读可靠性有问题。回去加上。”
钱兰在笔记本上记下来，又问：“写入驱动器呢？”
陈老师又画了一个图：“标准的推挽结构，能提供大电流，把数据写进单元。”
钱兰看了一眼，眼睛亮了：“你们的写入驱动器，能提供多少电流？”
“设计值是1毫安。实测能到1.5。”
钱兰吸了一口气：“我们的只有0.5毫安，写的时候经常写不进去。这个参数，我得回去改。”
她顿了顿，又问：“输出缓冲器呢？”
陈老师在黑板角落画了一个小图：“三态输出缓冲器。读的时候，根据片选信号，决定是把数据放到总线上，还是变成高阻态。这样多个芯片可以共享数据线。”
钱兰点点头：“这个我们有。”
她走回座位，坐下。
会议室里安静了几秒。
陈光远打破沉默：“小钱，你们的方案，跟陈老师的比，优缺点是什么？”
钱兰想了想，说：“译码器方面，我们的预充电方案更优，功耗更低。读写控制方面，陈老师的灵敏放大器方案更可靠。写入驱动方面，陈老师的电流更大，写入更稳。输出缓冲器，两家都有。”
她顿了顿：“总体来说，陈老师的方案在某些细节上比我们考虑得更周全。特别是灵敏放大器，我们之前忽略了，回去得加上。”
陈老师笑了笑：“钱工，你的方案也不差。预充电那个思路很好，我认为我们应该统合一下，做出更好的来。”
钱兰点点头：“陈老师说的对，我邀请你到我们实验室参与设计，一起做出更好的存储来。”
会议室里的气氛松弛下来。
陈光远正要说话，陈老师又开口了：“等等，我还没讲完。”
他转身，在黑板上又画了一个图。
这次的图更复杂，阵列更大，线条更密。
“这是我们设计的第二款。”他说，“动态随机存储。”
台下安静了。
陈老师指着那个图：“一管一容。一个比特只用一个管子加一个电容。面积是六管单元的六分之一，甚至十分之一。同样的芯片面积，容量能翻十倍。”
他转过身，看着台下：“这一款的目标容量，是4kbit。256×16，或者512×8。”
台下有人倒吸一口气。
4kbit，512个字节，是上一款的八倍。
陈老师正要继续讲，钱兰又举手了。
“陈老师，我能不能问几个问题？”
陈老师看着她：“问。”
钱兰站起来，走到黑板前。
“第一，电容怎么画？”
她拿起粉笔，在动态存储单元的图旁边画了一个剖面图。
“五微米工艺，要在硅片上做一个能稳定存储电荷的电容。它需要极薄的介质层，需要足够大的极板面积，需要极低的漏电流。这三个要求，每一个都在挑战我们现有的材料和工艺极限。”
她转过身，看着台下的胡教授。
作为6305厂动力中心的专家，胡教授想了想，说：“钱兰说得对。我们目前能做出的最薄氧化层，针孔密度大概是每平方厘米几十个。做电容的话，漏电流会很大，存不住电荷。”
陈老师的脸色变了一下，但没说话。
钱兰继续问：“第二，怎么刷新？”
她在黑板上画了一个时序图。
“动态存储，电荷会漏，必须定期刷新。几毫秒就得把所有比特读一遍再写回去。这个刷新电路，如果做在外面，编程机的主控芯片就得额外处理刷新逻辑。如果做在里面，芯片面积又得加上一大块刷新控制电路。”
她放下粉笔，看着陈老师：“而且刷新的时候，芯片不能正常读写，时序上就得留出‘空白期’。昆仑的编程机是实时编辑的，工程师敲键盘的时候，不能等几微秒让芯片‘喘口气’吧？”
陈老师没说话。
钱兰又问：“第三，环境适应性。”
她指了指窗外的太阳：“冬天办公室里温度零下十度，夏天车间里四十度。动态存储的漏电流随温度指数级上升，高温下电荷根本存不住。要保证它在全温度范围内稳定工作，要么加温补电路，要么把刷新频率提得极高。无论哪种，都是巨大的工程。”
会议室里安静得能听见空调的嗡嗡声。
钱兰说了第四点：“第四，维修问题。六管静态单元，出问题了，能拿着放大镜对着版图查。哪个管子坏了，哪条线断了，能定位，能分析，能改。动态存储，电容漏电的原因可能是氧化层针孔、可能是杂质沾污、可能是界面态陷阱……查出来难，改起来更难。”
她看着陈老师：“陈老师，我的问题问完了。”
会议室里一片寂静。
陈老师被驳得有点下不来台，脸上的表情变了好几下。
所有人都惊呆了，都没想到钱兰会这么不给面子。
过了好几秒，陈老师叹了口气：“钱工，你说得对。动态存储，以现在的工艺条件，确实做不出来。”
他转身，把黑板上的动态存储图擦了。
“但这个东西，方向是对的。”
他重新写下一行字：一管一容，是未来。
“我们现在做不出来，不代表以后做不出来。等工艺成熟了，等氧化层质量上去了，等能把刷新电路做得足够小、足够可靠，这条路，一定要走。”
吕辰这时候站起来，打圆场：“陈老师说得对。追求大容量，方向没有错。这个方案非常有价值。”
他看了看钱兰，又看了看陈老师：“咱们现在要做的，是给编程机做一块‘现在就能用、出了问题自己能修’的存储芯片。但动态存储的研究，不能停。等条件成熟了，这就是下一代存储芯片的基础。”
钱兰也点点头：“陈老师，我刚才不是否定您的方案。一管一容，确实是未来的方向。等咱们的工艺成熟了，等氧化层质量上去了，等能把刷新电路做得足够小、足够可靠，我一定去做。”
陈老师看着她，忽然笑了：“钱工，您这个脾气，我喜欢。”
他走回座位，坐下，喝了一口水。
钱兰脸一下子红了，诸葛彪和吕辰对视了一眼，忍不住偷笑起来。
吕辰忍着笑，总结道：“行，那咱们就定下来。第一款静态存储，继续完善。第二款动态存储，先做预研，不急着流片。”
陈光远点点头：“就这么定了。”
会议散了。
吕辰三个人从会议室出来，站在走廊里。
诸葛彪点了一根烟，吸了一口，然后看着钱兰：“钱师姐，你今天可把陈老师怼得不轻。”
钱兰瞪了他一眼：“我是就事论事。他的动态存储方案，确实做不出来。”
“我知道。”诸葛彪笑了笑，“但你那一二三四，条条都打在七寸上。陈老师在哈工大也是有名的人物，被你问得哑口无言。”
钱兰没说话，但嘴角微微翘了一下。
正说着，陈老师收拾完，匆匆追了上来：“钱工，等等，我还有几个问题要找你细谈！”
……
吕辰拍了拍诸葛彪的肩膀：“行了，走吧。”
诸葛彪嘿嘿一乐，两人自行车，往厂外走。
七月的风，吹在脸上，很舒服。