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单光子探测器做出来了，但方明华没有停下来。
他知道，实验室的样机和真正的产品之间，还隔着一条大河。那条河叫“可靠性”。
实验室里，你可以精心调试，让一切工作在最佳状态。但在实际系统中，温度会变，湿度会变，电压会波动，器件会老化。一个探测器如果不能在这些条件下稳定工作，就只是一个玩具。
方明华开始做可靠性测试。
第一次可靠性测试，做了七十二小时。
前四十八小时，一切正常。第四十九小时，暗计数突然飙升，从80赫兹跳到了500赫兹。
方明华的脸白了。
他把芯片取下来，放到显微镜下。表面看不出任何异常。他又用X光看内部，还是看不出问题。
“怎么回事？”他自言自语。
他给秦念打电话。
“秦总师，探测器出问题了。工作四十九小时后暗计数飙升。查不出原因。”
秦念赶到半导体所的时候，已经是晚上十点。
她站在测试台前，看着那些数据。暗计数从80赫兹飙升到500赫兹，然后稳定在那里，不再变化。
“不是突发故障，是渐进式退化。”秦念说，“说明有某种机制在慢慢破坏器件。”
她启动了“微观结构洞察”。
视野穿透芯片的表面，进入内部。她看到了吸收区、倍增区、电荷层——每一层的结构都清晰可见。
然后她看到了问题。
在吸收区和倍增区的界面处，出现了微小的缺陷——不是工艺缺陷，是使用过程中产生的。那些缺陷像是小小的陷阱，俘获了载流子，然后在某个时刻释放出来，产生暗计数。
“是热载流子效应。”秦念说，“高电场下，载流子被加速到很高的能量，撞进晶格，产生缺陷。缺陷积累到一定程度，暗计数就飙升了。”
“那怎么解决？”方明华问。
“降低电场强度。但电场强度降了，增益就降了，探测效率也会降。所以要在增益和可靠性之间找一个平衡点。”
秦念在笔记本上算了一组数字。
“倍增区的掺杂浓度降低百分之十五。电场强度从45万伏每厘米降到38万伏每厘米。增益会从100万倍降到50万倍，但对于单光子探测来说，50万倍够了。”
方明华看着那组数字，沉默了很久。
“改版图。再流一次片。”
第四次流片。
这一次，方明华没有急着测试。他把芯片装在测试台上，连续跑了一个星期。
每一天，他都记录数据。第一天，暗计数80赫兹。第二天，81赫兹。第三天，80赫兹。第四天，82赫兹。